文献
J-GLOBAL ID:201302272406892578
整理番号:13A0602926
気相エピタキシーによって増大するInAs/GaAs量子ドットの二峰性配列の光電的性質
Photoelectric properties of bimodal arrays of InAs/GaAs quantum dots grown by means of gas phase epitaxy
著者 (5件):
GORSHKOV A. P.
(Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
VOLKOVA N. S.
(Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
KARPOVICH I. A.
(Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
ZDOROVEISHEV A. V.
(Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
,
POLOVA I. A.
(Nizhni Novgorod State Univ., 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名:
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics
(Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics)
巻:
77
号:
1
ページ:
53-55
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
A1043A
ISSN:
1062-8738
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)