文献
J-GLOBAL ID:201302274077188450
整理番号:13A0048469
低出力RFIC用の最適設計した中程度に反転した二重ゲートSOI MOSFET
Optimally designed moderately inverted double gate SOI MOSFETs for low-power RFICs
著者 (4件):
GHOSH Dipankar
(Indian Inst. of Technol. (IIT), Indore, IND)
,
PARIHAR Mukta Singh
(Indian Inst. of Technol. (IIT), Indore, IND)
,
ARMSTRONG G Alastair
(Queen’s Univ. Belfast, Belfast, GBR)
,
KRANTI Abhinav
(Indian Inst. of Technol. (IIT), Indore, IND)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
12
ページ:
125004,1-8
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)