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文献
J-GLOBAL ID：201302275221474329
整理番号：13A1556573
β-Ga2O3(010)基板上の空乏モードGa2O3金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と素子特性の温度依存性
Depletion-mode Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on β-Ga2O3 (010) substrates and temperature dependence of their device characteristics
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
KAMIMURA Takafumi
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
HOI WONG Man
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
KRISHNAMURTHY Daivasigamani
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., 2-6-8 Kouyama, Nerima, Tokyo 176-0022, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 12 ページ： 123511-123511-4 発行年： 2013年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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