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文献
J-GLOBAL ID：201302275448979257
整理番号：13A0611859
グラフェン挿入電極を用いる抵抗ランダムアクセスメモリの酸素の動きのRaman分光法による観測
Monitoring Oxygen Movement by Raman Spectroscopy of Resistive Random Access Memory with a Graphene-Inserted Electrode
TIAN He
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
TIAN He
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
CHEN Hong-Yu
(Stanford Univ., California, USA)
,
GAO Bin
(Stanford Univ., California, USA)
,
GAO Bin
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
YU Shimeng
(Stanford Univ., California, USA)
,
LIANG Jiale
(Stanford Univ., California, USA)
,
YANG Yi
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
XIE Dan
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
KANG Jinfeng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
REN Tian-Ling
(Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Yuegang
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
WONG H.-S. Philip
(Stanford Univ., California, USA)
資料名：
Nano Letters
(Nano Letters)
巻： 13 号： 2 ページ： 651-657 発行年： 2013年02月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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