前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：201302275506444784 整理番号：13A0484525

Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作

GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters

著者 (8件)：

宇治田信二

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

森田竜夫

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

梅田英和

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

木下雄介

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

田村聡之

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

按田義治

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

上田哲三

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

田中毅

(パナソニックデバイス社半導体デバイス開発セ)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 112 号： 381(MW2012 142-157) ページ： 53-56 発行年： 2013年01月10日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM