文献
J-GLOBAL ID:201302275506444784
整理番号:13A0484525
Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作
GaN Gate Injection Transistor with Integrated Si Schottky Barrier Diode for Highly Efficient DC-DC Converters
著者 (8件):
宇治田信二
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
森田竜夫
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
梅田英和
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
木下雄介
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
田村聡之
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
按田義治
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
上田哲三
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
,
田中毅
(パナソニック デバイス社 半導体デバイス開発セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
381(MW2012 142-157)
ページ:
53-56
発行年:
2013年01月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)