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文献
J-GLOBAL ID：201302275552015650
整理番号：13A1769474
絶縁体上の二軸歪極端薄層In0.53Ga0.47AsによるSi基板上の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ及びその電子移動度の物理的理解
Biaxially strained extremely-thin body In0.53Ga0.47As-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si substrate and physical understanding on their electron mobility
KIM Sanghyeon
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
YOKOYAMA Masafumi
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
NAKANE Ryosho
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
ICHIKAWA Osamu
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
OSADA Takenori
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
HATA Masahiko
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 114 号： 16 ページ： 164512-164512-6 発行年： 2013年10月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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