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文献
J-GLOBAL ID：201302276475191587
整理番号：13A0234641
高品質炭化珪素(SiC)ホモエピタクシーのためのテトラフルオロシラン(SiF4)前駆体を用いた珪素気相核形成の除去
Elimination of silicon gas phase nucleation using tetrafluorosilane (SiF4) precursor for high quality thick silicon carbide (SiC) homoepitaxy
RANA T.
(Univ. South Carolina, Columbia, USA)
,
CHANDRASHEKHAR M.V.S.
(Univ. South Carolina, Columbia, USA)
,
SUDARSHAN T.S.
(Univ. South Carolina, Columbia, USA)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209 号： 12 ページ： 2455-2462 発行年： 2012年12月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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