文献
J-GLOBAL ID:201302276789392390
整理番号:13A0037474
等角写像モデルを用いたDG-MOSFETにおけるソース/ドレイン抵抗の2D解析的計算
2D Analytical Calculation of the Parasitic Source/Drain Resistances in DG-MOSFETs Using the Conformal Mapping Technique
著者 (6件):
HOLTIJ Thomas
(Technische Hochsch. Mittelhessen, Giessen, DEU)
,
HOLTIJ Thomas
(Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
,
SCHWARZ Mike
(Technische Hochsch. Mittelhessen, Giessen, DEU)
,
SCHWARZ Mike
(Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
,
KLOES Alexander
(Technische Hochsch. Mittelhessen, Giessen, DEU)
,
INIGUEZ Benjamin
(Univ. Rovira i Virgili, Tarragona, ESP)
資料名:
IETE Journal of Research (Institution of Electronics and Telecommunication Engineers)
(IETE Journal of Research (Institution of Electronics and Telecommunication Engineers))
巻:
58
号:
3
ページ:
205-213
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
C0312A
ISSN:
0377-2063
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
インド (IND)
言語:
英語 (EN)