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文献
J-GLOBAL ID：201302277347813261
整理番号：13A0673782
超薄酸化イットリウム誘電層によるトップゲートグラフェン素子の電子性能修正
Modification of electronic properties of top-gated graphene devices by ultrathin yttrium-oxide dielectric layers
WANG Lin
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
CHEN Xiaolong
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
WANG Yang
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
WU Zefei
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
LI Wei
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
HAN Yu
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
ZHANG Mingwei
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
HE Yuheng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
ZHU Chao
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
FUNG Kwok Kwong
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
,
WANG Ning
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN)
資料名：
Nanoscale
(Nanoscale)
巻： 5 号： 3 ページ： 1116-1120 発行年： 2013年02月07日
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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