文献
J-GLOBAL ID:201302277660717397
整理番号:13A0484527
GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響
Effects of Deep Trapping States at High Temperatures on Transient Performances of AlGaN/GaN HFETs
著者 (4件):
田中健一郎
(パナソニック 半導体デバイス開発セ)
,
石田昌宏
(パナソニック 半導体デバイス開発セ)
,
上田哲三
(パナソニック 半導体デバイス開発セ)
,
田中毅
(パナソニック 半導体デバイス開発セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
381(MW2012 142-157)
ページ:
63-68
発行年:
2013年01月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)