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文献
J-GLOBAL ID：201302277729784830
整理番号：13A1719263
SiO2及び/またはSiNxパッシベーション層の自己整合コプレーナアモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの温度安定性に対する効果
Effect of SiO2 and/or SiNx Passivation Layer on Thermal Stability of Self-Aligned Coplanar Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors
KANG Dong Han
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KANG In
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KANG In
(LG Display Co., Ltd., Gumi, KOR)
,
RYU Sang Hyun
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
AHN Young Sik
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
JANG Jin
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Journal of Display Technology
(Journal of Display Technology)
巻： 9 号： 7-9 ページ： 699-703 発行年： 2013年07月
JST資料番号： W1444A ISSN： 1551-319X CODEN： IJDTAL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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