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文献
J-GLOBAL ID：201302278284906260
整理番号：13A0561904
超薄InGaAsナノワイヤ金属酸化物半導体電界効果トランジスタに及ぼすフォーミングガスアニールの効果
Effects of forming gas anneal on ultrathin InGaAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
SI Mengwei
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
GU Jiangjiang J.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
WANG Xinwei
(Dep. of Chemistry and Chemical Biology, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
,
SHAO Jiayi
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
LI Xuefei
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
MANFRA Michael J.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
,
GORDON Roy G.
(Dep. of Chemistry and Chemical Biology, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
,
YE Peide D.
(School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 102 号： 9 ページ： 093505-093505-4 発行年： 2013年03月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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