文献
J-GLOBAL ID:201302278336345548
整理番号:13A1923873
緑色間隙スペクトル領域におけるc面サファイア基板上のInGaN発光ダイオード
InGaN Light-Emitting Diodes on c-Face Sapphire Substrates in Green Gap Spectral Range
著者 (4件):
SAITO Shinji
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HASHIMOTO Rei
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
HWANG Jongil
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NUNOUE Shinya
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
6
号:
11
ページ:
111004.4-111004.4
発行年:
2013年11月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)