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文献
J-GLOBAL ID：201302278824128530
整理番号：13A1556521
SiO2/GeO2ゲート積層にAlおよびHfを導入することによる金属ソース/ドレインGe pチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ中の低い電場における移動度の劇的な増大
Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO2/GeO2 gate stack
YAMAMOTO Keisuke
(Art, Sci. and Technol. Center for Cooperative Res., Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
SADA Takahiro
(Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
WANG Dong
(Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
,
NAKASHIMA Hiroshi
(Art, Sci. and Technol. Center for Cooperative Res., Kyushu Univ., 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 12 ページ： 122106-122106-4 発行年： 2013年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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