文献
J-GLOBAL ID:201302278881477281
整理番号:13A0035649
GaAs HBT技術のための金属-絶縁体-金属キャパシター誘電体としての原子層堆積HfO2,Al2O3,およびプラズマ励起化学的気相成長Si3N4の特性評価
Characterization of atomic layer deposition HfO2, Al2O3, and plasma-enhanced chemical vapor deposition Si3N4 as metal-insulator-metal capacitor dielectric for GaAs HBT technology
著者 (3件):
YOTA Jiro
(Skyworks Solutions, Inc., 2427 W. Hillcrest Drive, Newbury Park, California 91320)
,
SHEN Hong
(Skyworks Solutions, Inc., 2427 W. Hillcrest Drive, Newbury Park, California 91320)
,
RAMANATHAN Ravi
(Skyworks Solutions, Inc., 2427 W. Hillcrest Drive, Newbury Park, California 91320)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
31
号:
1
ページ:
01A134-01A134-9
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)