文献
J-GLOBAL ID:201302279237888242
整理番号:13A1087476
高いアスペクト比と低いキャパシタンスの,ポリマー絶縁層をもつシリコン貫通ビア(TSV)
High aspect ratio and low capacitance through-silicon-vias (TSVs) with polymer insulation layers
著者 (4件):
HUANG Cui
(Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
CHEN Qianwen
(Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
WU Dong
(Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
,
WANG Zheyao
(Insitute of Microelectronics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名:
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻:
104
ページ:
12-17
発行年:
2013年04月
JST資料番号:
C0406B
ISSN:
0167-9317
CODEN:
MIENEF
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)