文献
J-GLOBAL ID:201302279514102545
整理番号:13A1727478
RF電力LDMOSトランジスタの温度特性へのドリフト領域抵抗の影響
Effect of Drift Region Resistance on Temperature Characteristics of RF Power LDMOS Transistors
著者 (8件):
CHEN Kun-Ming
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Bo-Yuan
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Hsueh-Wei
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
CHIU Chia-Sung
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Guo-Wei
(National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Guo-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Chia-Hao
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
,
HU Hsin-Hui
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
資料名:
Digest of Papers. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium
(Digest of Papers. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium)
巻:
2013
ページ:
443-446
発行年:
2013年
JST資料番号:
W1263A
ISSN:
1529-2517
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)