文献
J-GLOBAL ID:201302279570342273
整理番号:13A1864215
Si(100)およびSi(110)上に形成された超薄膜HfNゲート絶縁膜の電子特性と信頼性
Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110)
著者 (3件):
ATTHI Nithi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HAN Dae-Hee
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
OHMI Shun-ichiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
113
号:
247(SDM2013 88-98)
ページ:
5-9
発行年:
2013年10月10日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)