文献
J-GLOBAL ID:201302282643345838
整理番号:13A0782334
パターン化r平面サファイア基板上に横方向被覆成長させたa配向GaNドメインの面内極性の自発的逆転
Spontaneous inversion of in-plane polarity of a-oriented GaN domains laterally overgrown on patterned r-plane sapphire substrates
著者 (6件):
SHIN Donggyu
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sanghwa
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
JUE Miyeon
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Wooyoung
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
OH Soyoung
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Chinkyo
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Applied Crystallography
(Journal of Applied Crystallography)
巻:
46
号:
2
ページ:
443-447
発行年:
2013年04月
JST資料番号:
D0631A
ISSN:
0021-8898
CODEN:
JACGAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)