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文献
J-GLOBAL ID：201302282723251036
整理番号：13A1299651
Ta2O5-x薄膜の単極抵抗スイッチングの形成プロセス
Forming process of unipolar resistance switching in Ta2O5-x thin films
LEE Shin Buhm
(Center for Functional Interfaces of Correlated Electron Systems, Inst. for Basic Sci., Seoul National Univ., Seoul ...)
,
LEE Shin Buhm
(Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR)
,
YOO Hyang Keun
(Center for Functional Interfaces of Correlated Electron Systems, Inst. for Basic Sci., Seoul National Univ., Seoul ...)
,
YOO Hyang Keun
(Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR)
,
KANG Bo Soo
(Dep. of Applied Physics, Hanyang Univ., Ansan, Gyeonggi-do 426-791, KOR)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 13 号： 7 ページ： 1172-1174 発行年： 2013年09月
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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