文献
J-GLOBAL ID:201302282723251036
整理番号:13A1299651
Ta2O5-x薄膜の単極抵抗スイッチングの形成プロセス
Forming process of unipolar resistance switching in Ta2O5-x thin films
著者 (5件):
LEE Shin Buhm
(Center for Functional Interfaces of Correlated Electron Systems, Inst. for Basic Sci., Seoul National Univ., Seoul ...)
,
LEE Shin Buhm
(Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR)
,
YOO Hyang Keun
(Center for Functional Interfaces of Correlated Electron Systems, Inst. for Basic Sci., Seoul National Univ., Seoul ...)
,
YOO Hyang Keun
(Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR)
,
KANG Bo Soo
(Dep. of Applied Physics, Hanyang Univ., Ansan, Gyeonggi-do 426-791, KOR)
資料名:
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻:
13
号:
7
ページ:
1172-1174
発行年:
2013年09月
JST資料番号:
W1579A
ISSN:
1567-1739
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)