文献
J-GLOBAL ID:201302282781740187
整理番号:13A0023397
室温シリコン量子ドットに基づく単一電子トランジスタのモデリングとその性能に対するエネルギーレベル拡大の影響
Modeling of a Room-Temperature Silicon Quantum Dot-Based Single-Electron Transistor and the Effect of Energy-Level Broadening on Its Performance
著者 (3件):
MIRALAIE M.
(Univ. of Tabriz, School of Engineering Emerging Technologies, 51664, Tabriz, IRN)
,
LEILAEIOUN M.
(Univ. of Tabriz, School of Engineering Emerging Technologies, 51664, Tabriz, IRN)
,
ABBASIAN K.
(Univ. of Tabriz, School of Engineering Emerging Technologies, 51664, Tabriz, IRN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
42
号:
1
ページ:
47-57
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)