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文献
J-GLOBAL ID：201302282998470544
整理番号：13A1204958
4H-SiC MOSFETの1/f雑音の温度依存性と照射後アニーリング応答
Temperature Dependence and Postirradiation Annealing Response of the 1/f Noise of 4H-SiC MOSFETs
ZHANG Cher Xuan
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SHEN Xiao
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
ZHANG En Xia
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
FLEETWOOD Daniel M.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SCHRIMPF Ronald D.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
FRANCIS Sarah Ashley
(Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA)
,
ROY Tania
(Geogia Inst. Technol., GA, USA)
,
DHAR Sarit
(Cree, Inc., NC, USA)
,
DHAR Sarit
(Auburn Univ., AL, USA)
,
RYU Sei-Hyung
(Cree, Inc., NC, USA)
,
PANTELIDES Sokrates T.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60 号： 7 ページ： 2361-2367 発行年： 2013年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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