文献
J-GLOBAL ID:201302282998470544
整理番号:13A1204958
4H-SiC MOSFETの1/f雑音の温度依存性と照射後アニーリング応答
Temperature Dependence and Postirradiation Annealing Response of the 1/f Noise of 4H-SiC MOSFETs
著者 (11件):
ZHANG Cher Xuan
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SHEN Xiao
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
ZHANG En Xia
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
FLEETWOOD Daniel M.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SCHRIMPF Ronald D.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
FRANCIS Sarah Ashley
(Wright-Patterson Air Force Base, OH, USA)
,
ROY Tania
(Geogia Inst. Technol., GA, USA)
,
DHAR Sarit
(Cree, Inc., NC, USA)
,
DHAR Sarit
(Auburn Univ., AL, USA)
,
RYU Sei-Hyung
(Cree, Inc., NC, USA)
,
PANTELIDES Sokrates T.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
7
ページ:
2361-2367
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)