文献
J-GLOBAL ID:201302283060362986
整理番号:13A0245478
MOSトンネルダイオードのキャラクタリゼーションツールとしての小信号アドミタンスモデル
Small-signal admittance model as a characterization tool of the MOS tunnel diode
著者 (2件):
JASINSKI Jakub
(Inst. of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw Univ. of Technol., Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, POL)
,
MAJKUSIAK Bogdan
(Inst. of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw Univ. of Technol., Koszykowa 75, 00-662 Warsaw, POL)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
31
号:
1
ページ:
01A111-01A111-7
発行年:
2013年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)