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文献
J-GLOBAL ID:201302283280481307   整理番号:13A0721945

C面4H-SiC上のSiO2/SiC界面における移動度制約トラップの深準位過渡分光法特性評価

Deep-Level-Transient Spectroscopy Characterization of Mobility-Limiting Traps in SiO2/SiC interfaces on C-face 4H-SiC
著者 (6件):
HATAKEYAMA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
SHIMIZU T.
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
SUZUKI T.
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
NAKABAYASHI Y.
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
OKUMURA H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
KIMOTO T.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

巻: 740/742  ページ: 477-480  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0716B  ISSN: 0255-5476  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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