文献
J-GLOBAL ID:201302283280481307
整理番号:13A0721945
C面4H-SiC上のSiO2/SiC界面における移動度制約トラップの深準位過渡分光法特性評価
Deep-Level-Transient Spectroscopy Characterization of Mobility-Limiting Traps in SiO2/SiC interfaces on C-face 4H-SiC
著者 (6件):
HATAKEYAMA T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
SHIMIZU T.
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SUZUKI T.
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAKABAYASHI Y.
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OKUMURA H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
KIMOTO T.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
740/742
ページ:
477-480
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)