文献
J-GLOBAL ID:201302283390218954
整理番号:13A0989569
高温でチャネルドーピング濃度を変化させた3D-FinFET構造における衝突イオン化に関するシノプシスTCADを用いた研究
Study of Impact Ionization in the 3D FinFET Structure by Varying Channel Doping Concentration at Higher Temperature Using Synopsys TCAD
著者 (6件):
BUKHTIAR A.
(Univ. Punjab, Lahore, PAK)
,
MUSTAFA M. A.
(Univ. Punjab, Lahore, PAK)
,
UMER M.
(Univ. Punjab, Lahore, PAK)
,
KHALID M.
(Univ. Punjab, Lahore, PAK)
,
RIAZ S.
(Univ. Punjab, Lahore, PAK)
,
NASEEM S.
(Univ. Punjab, Lahore, PAK)
資料名:
Advanced Science Letters
(Advanced Science Letters)
巻:
19
号:
3
ページ:
753-759
発行年:
2013年03月
JST資料番号:
W2378A
ISSN:
1936-6612
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)