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文献
J-GLOBAL ID：201302283438378061
整理番号：13A0759008
単結晶β-Ga2O3の(010)基板を用いて作製されたGa2O3のSchottky障壁ダイオード
Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal β-Ga2O3 (010) Substrates
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Sayama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(JST-PRESTO, Tokyo, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Sayama, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Sayama, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 34 号： 4 ページ： 493-495 発行年： 2013年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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