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J-GLOBAL ID：201302283850729650 整理番号：13A1077173

カーボンマスクを用いたGaN両極性同時成長プロセス

The process of GaN double polarity selective area growth by using carbon mask

著者 (4件)：

藤田陽平

(静岡大大学院工学研究科)

高野泰

(静岡大工)

井上翼

(静岡大工)

中野貴之

(静岡大工)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 113 号： 40(CPM2013 1-21) ページ： 13-17 発行年： 2013年05月09日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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