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文献
J-GLOBAL ID:201302283904853603   整理番号:13A0757678

基底面の反強磁性秩序の健全性と単一層イリジウム酸塩スピン-軌道Mott絶縁体におけるJeff=1/2状態

Robustness of Basal-Plane Antiferromagnetic Order and the Jeff=1/2 State in Single-Layer Iridate Spin-Orbit Mott Insulators
著者 (12件):
BOSEGGIA S.
(Univ. Coll. London, London, GBR)
BOSEGGIA S.
(Diamond Light Source Ltd, Oxfordshire, GBR)
SPRINGELL R.
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
WALKER H. C.
(Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Hamburg, DEU)
RONNOW H. M.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE)
RUEGG Ch.
(Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE)
RUEGG Ch.
(Univ. Geneva, Geneva, CHE)
OKABE H.
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
ISOBE M.
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
PERRY R. S.
(Univ. Edinburgh, Edinburgh, GBR)
COLLINS S. P.
(Diamond Light Source Ltd, Oxfordshire, GBR)
MCMORROW D. F.
(Univ. Coll. London, London, GBR)

資料名:
Physical Review Letters  (Physical Review Letters)

巻: 110  号: 11  ページ: 117207.1-117207.5  発行年: 2013年03月15日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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