文献
J-GLOBAL ID:201302283904853603
整理番号:13A0757678
基底面の反強磁性秩序の健全性と単一層イリジウム酸塩スピン-軌道Mott絶縁体におけるJeff=1/2状態
Robustness of Basal-Plane Antiferromagnetic Order and the Jeff=1/2 State in Single-Layer Iridate Spin-Orbit Mott Insulators
著者 (12件):
BOSEGGIA S.
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
BOSEGGIA S.
(Diamond Light Source Ltd, Oxfordshire, GBR)
,
SPRINGELL R.
(Univ. Bristol, Bristol, GBR)
,
WALKER H. C.
(Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY, Hamburg, DEU)
,
RONNOW H. M.
(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE)
,
RUEGG Ch.
(Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE)
,
RUEGG Ch.
(Univ. Geneva, Geneva, CHE)
,
OKABE H.
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
ISOBE M.
(National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
PERRY R. S.
(Univ. Edinburgh, Edinburgh, GBR)
,
COLLINS S. P.
(Diamond Light Source Ltd, Oxfordshire, GBR)
,
MCMORROW D. F.
(Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
110
号:
11
ページ:
117207.1-117207.5
発行年:
2013年03月15日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)