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文献
J-GLOBAL ID：201302285034507090
整理番号：13A1828020
Alloy600上に成長させた酸化膜の異なる溶存水素量のPWR模擬一次冷却水条件下における半導性挙動とバンドギャップエネルギー
Semiconducting behavior and bandgap energies of oxide films grown on alloy 600 under PWR simulated primary water conditions with different dissolved hydrogen contents
LOUCIF A.
,
PETIT J.-p.
,
WOUTERS Y.
資料名：
Journal of Nuclear Materials
(Journal of Nuclear Materials)
巻： 443 号： 1-3 ページ： 222-229 発行年： 2013年11月
JST資料番号： D0148A ISSN： 0022-3115 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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