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文献
J-GLOBAL ID：201302285345795617
整理番号：13A0716445
高電流電界放出カソードについてのSiにおけるCNT微細構造の高さおよび接触界面の役割
Role of height and contact interface of CNT microstructures on Si for high current field emission cathodes
NAVITSKI A.
(Univ. of Wuppertal, Wuppertal, DEU)
,
SERBUN P.
(Univ. of Wuppertal, Wuppertal, DEU)
,
MUELLER G.
(Univ. of Wuppertal, Wuppertal, DEU)
,
JOSHI R. K.
(Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
ENGSTLER J.
(Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, DEU)
,
SCHNEIDER J. J.
(Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名：
European Physical Journal. Applied Physics
(European Physical Journal. Applied Physics)
巻： 59 号： 1 ページ： 11302,1-11302,6 発行年： 2012年07月
JST資料番号： B0655C ISSN： 1286-0042 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： フランス (FRA) 言語： 英語 (EN)
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