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文献
J-GLOBAL ID：201302285374550240
整理番号：13A1386236
金属有機化学気相堆積で成長したGaN/MgAl2O4からの陰極線ルミネセンスおよび電界放出: 基板配向依存性
Cathodoluminescence and field emission from GaN/MgAl2O4 grown by metalorganic chemical vapor deposition: substrate-orientation dependence
HE Gang
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
CHIKYOW Toyohiro
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
CHEN Xiaoshuang
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
CHEN Xiaoshuang
(National Lab. for Infrared Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
,
CHEN Hanshuang
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
,
LIU Jiangwei
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
,
SUN Zhaoqi
(Anhui Univ., Hefei, CHN)
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1 号： 2 ページ： 238-245 発行年： 2013年01月14日
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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