文献
J-GLOBAL ID:201302285722898698
整理番号:13A0408420
さまざまなアモルファス化イオンビームエネルギーを加えたサファイヤ上シリコン構造の再結晶化
Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies
著者 (4件):
ALEXANDROV P. A.
(Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS)
,
DEMAKOV K. D.
(Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS)
,
SHEMARDOV S. G.
(Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS)
,
KUZNETSOV Yu. Yu.
(Russian Scientific Center “Kurchatov Institute”, pl. Kurchatova 1, 123182, Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
47
号:
2
ページ:
298-300
発行年:
2013年02月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)