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文献
J-GLOBAL ID：201302285841340247
整理番号：13A0726684
高品質GaAsSbとタイプII InGaAs/GaAsSb超格子構造の成長
The growth of high quality GaAsSb and type-II InGaAs/GaAsSb superlattice structure
MIURA K.
(Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1, Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, JPN)
,
IGUCHI Y.
(Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1, Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, JPN)
,
TSUBOKURA M.
(Analysis Technol. Res. Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-1-1, Koyakita, Itami, Hyogo 664-0016, JPN)
,
KAWAMURA Y.
(Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-2 Gakuen-cho, Sakai, Osaka 599-8570, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 113 号： 14 ページ： 143506-143506-5 発行年： 2013年04月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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