文献
J-GLOBAL ID:201302285959717957
整理番号:12A1798891
高速熱アニーリングにより誘起されたInAs/GaAs量子ドットの形態変化の原子分解研究
Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing
著者 (5件):
KEIZER J. G.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, NL-5600 MB Eindhoven, NLD)
,
HENRIQUES A. B.
(Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, C.P. 66318, 05315-970 Sao Paulo, BRA)
,
MAIA A. D. B.
(Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, C.P. 66318, 05315-970 Sao Paulo, BRA)
,
QUIVY A. A.
(Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, C.P. 66318, 05315-970 Sao Paulo, BRA)
,
KOENRAAD P. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, NL-5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
24
ページ:
243113-243113-4
発行年:
2012年12月10日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)