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文献
J-GLOBAL ID：201302286043319294
整理番号：13A1452832
高κゲート誘電体を持つトンネル電界効果トランジスタに及ぼす量子閉じ込めの効果
The effect of quantum confinement on tunneling field-effect transistors with high-κ gate dielectric
PADILLA J. L.
(Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Universidad de Granada, Avda. Fuentenueva s/n, 18071 ...)
,
GAMIZ F.
(Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Universidad de Granada, Avda. Fuentenueva s/n, 18071 ...)
,
GODOY A.
(Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores, Universidad de Granada, Avda. Fuentenueva s/n, 18071 ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 11 ページ： 112105-112105-4 発行年： 2013年09月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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