文献
J-GLOBAL ID:201302286068784811
整理番号:13A1354441
Al+イオン注入4H-SiC p+-i-nダイオード:負の温度係数を持つ順方向電流
Al+ Implanted 4H-SiC p+-i-n Diodes: Forward Current Negative Temperature Coefficient
著者 (3件):
NIPOTI Roberta
(IMM of Bologna, CNR, Bologna, ITA)
,
MOSCATELLI Francesco
(IMM of Bologna, CNR, Bologna, ITA)
,
DE NICOLA Pietro
(Lab. Micro and Submicro Enabling Technol. Emilia-Romagna Region, Bologna, ITA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
8
ページ:
966-968
発行年:
2013年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)