文献
J-GLOBAL ID:201302286261905219
整理番号:13A1682594
SOI基板上のテルル化ビスマスとテルル化アンチモン薄膜ベースの熱電素子のポストCMOS FinFET
Post-CMOS FinFET Integration of Bismuth Telluride and Antimony Telluride Thin-Film-Based Thermoelectric Devices on SoI Substrate
著者 (6件):
AKTAKKA Ethem Erkan
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
GHAFOURI Niloufar
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
SMITH Casey E.
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU)
,
PETERSON Rebecca L.
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
HUSSAIN Muhammad Mustafa
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol., Thuwal, SAU)
,
NAJAFI Khalil
(Univ. Michigan, MI, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
10
ページ:
1334-1336
発行年:
2013年10月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)