文献
J-GLOBAL ID:201302286641834357
整理番号:13A1589554
非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの負ゲートバイアスおよび光照明誘起ハンプ
Negative Gate Bias and Light Illumination-Induced Hump in Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor
著者 (7件):
JEON Jae-Hong
(Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR)
,
SEO Seung-Bum
(Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR)
,
PARK Han-Sung
(Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR)
,
CHOE Hee-Hwan
(Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR)
,
SEO Jong-Hyun
(Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR)
,
PARK Kee-Chan
(Konkuk Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Sang-Hee Ko
(Electronics and Telecommunication Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
13
号:
11
ページ:
7535-7539
発行年:
2013年11月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)