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文献
J-GLOBAL ID：201302286778972390
整理番号：13A1506808
酸化ガドリニウム抵抗スイッチングメモリの保持能改良のための白金-アルミニウム合金電極
Platinum-aluminum alloy electrode for retention improvement of gadolinium oxide resistive switching memory
WANG Jer-Chyi
(Chang Gung Univ., Dep. of Electronic Engineering, Kweishan, 333, Taoyuan, Taiwan)
,
JIAN De-Yuan
(Chang Gung Univ., Dep. of Electronic Engineering, Kweishan, 333, Taoyuan, Taiwan)
,
YE Yu-Ren
(Chang Gung Univ., Dep. of Electronic Engineering, Kweishan, 333, Taoyuan, Taiwan)
,
CHANG Li-Chun
(Ming Chi Univ. of Technol., Dep. of Material Engineering and Center for Thin Film Technologies and Applications ...)
資料名：
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 113 号： 1 ページ： 37-40 発行年： 2013年10月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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