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文献
J-GLOBAL ID：201302286829432752
整理番号：13A1157928
InP構造上の同形In0.53Ga0.47As量子壁における電子移動度
Electron mobilities in isomorphic In0.53Ga0.47As quantum wells on InP substrates
KULBACHINSKII V. A.
(Moscow State Univ., 119991, Moscow, RUS)
,
LUNIN R. A.
(Moscow State Univ., 119991, Moscow, RUS)
,
YUZEEVA N. A.
(Moscow State Univ., 119991, Moscow, RUS)
,
YUZEEVA N. A.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
,
VASIL’EVSKII I. S.
(MIFI National Nuclear Univ., 115409, Moscow, RUS)
,
GALIEV G. B.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
,
KLIMOV E. A.
(Russian Acad. of Sciences, Inst. of Microwave Semiconductor Electronics, 117105, Moscow, RUS)
資料名：
Journal of Experimental and Theoretical Physics
(Journal of Experimental and Theoretical Physics)
巻： 116 号： 5 ページ： 755-759 発行年： 2013年05月
JST資料番号： A1014A ISSN： 1063-7761 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ロシア (RUS) 言語： 英語 (EN)
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