文献
J-GLOBAL ID:201302287072866926
整理番号:13A1418586
ZnO圧電微細線ゲート酸化グラフェン電界効果トランジスタ
ZnO Piezoelectric Fine Wire Gated Graphene Oxide Field Effect Transistor
著者 (4件):
MOHAN Rajneesh
(Jeju National Univ., Jeju, KOR)
,
KRISHNAMOORTHY Karthikeyan
(Jeju National Univ., Jeju, KOR)
,
KIM Gui-Sik
(Jeju National Univ., Jeju, KOR)
,
KIM Sang-Jae
(Jeju National Univ., Jeju, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
13
号:
5
ページ:
3573-3576
発行年:
2013年05月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)