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文献
J-GLOBAL ID：201302287190151770
整理番号：13A1654848
電場下のペンタセン蒸発により作製した薄膜トランジスタ
Thin film transistors fabricated by evaporating pentacene under electric field
MANDAL Tapendu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering & Samtel Center for Display Technologies, Indian Inst. of Technol. Kanpur ...)
,
GARG Ashish
(Dep. of Materials Sci. and Engineering & Samtel Center for Display Technologies, Indian Inst. of Technol. Kanpur ...)
,
DEEPAK
(Dep. of Materials Sci. and Engineering & Samtel Center for Display Technologies, Indian Inst. of Technol. Kanpur ...)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 114 号： 15 ページ： 154517-154517-10 発行年： 2013年10月21日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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