文献
J-GLOBAL ID:201302287428282150
整理番号:13A1271894
GaN成長時の転位屈曲におよぼす反応器化学と圧縮応力の相乗的影響
Synergistic effect of reactor chemistry and compressive stress on dislocation bending during GaN growth
著者 (3件):
NAGABOOPATHY Mohan
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore-560012, IND)
,
RAVISHANKAR Narayanan
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore-560012, IND)
,
RAGHAVAN Srinivasan
(Materials Res. Centre, Indian Inst. of Sci., Bangalore-560012, IND)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
103
号:
4
ページ:
041912-041912-5
発行年:
2013年07月22日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)