文献
J-GLOBAL ID:201302287472551967
整理番号:13A1418944
低圧金属有機気相エピタキシにより成長したSiドープAlGaNエピタキシャル層での光学的非均質性の陰極線ルミネセンス研究
Cathodoluminescence Study of Optical Inhomogeneity in Si-Doped AlGaN Epitaxial Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy
著者 (5件):
KURAI Satoshi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
USHIJIMA Fumitaka
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
YAMADA Yoichi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
MIYAKE Hideto
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HIRAMATSU Kazumasa
(Mie Univ., Tsu, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
8,Issue 2
ページ:
08JL07.1-08JL07.4
発行年:
2013年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)