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文献
J-GLOBAL ID:201302287472551967   整理番号:13A1418944

低圧金属有機気相エピタキシにより成長したSiドープAlGaNエピタキシャル層での光学的非均質性の陰極線ルミネセンス研究

Cathodoluminescence Study of Optical Inhomogeneity in Si-Doped AlGaN Epitaxial Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy
著者 (5件):
KURAI Satoshi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
USHIJIMA Fumitaka
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
YAMADA Yoichi
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
MIYAKE Hideto
(Mie Univ., Tsu, JPN)
HIRAMATSU Kazumasa
(Mie Univ., Tsu, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 52  号: 8,Issue 2  ページ: 08JL07.1-08JL07.4  発行年: 2013年08月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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