文献
J-GLOBAL ID:201302287520929144
整理番号:13A1871598
90nm技術におけるPMOSトランジスタのパルス化光電レーザ刺激の電気モデルの構築
Building the electrical model of the pulsed photoelectric laser stimulation of a PMOS transistor in 90nm technology
著者 (5件):
SARAFIANOS Alexandre
(STMicroelectronics, Rousset, FRA)
,
GAGLIANO Olivier
(STMicroelectronics, Rousset, FRA)
,
SERRADEIL Valerie
(STMicroelectronics, Rousset, FRA)
,
DUTERTRE Jean-Max
(Centre de microelectronique de Provence-Georges Charpak, Gardanne, FRA)
,
TRIA Assia
(Centre de microelectronique de Provence-Georges Charpak, Gardanne, FRA)
資料名:
Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
(Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻:
20th
ページ:
22-27
発行年:
2013年
JST資料番号:
W1259A
ISSN:
1946-1542
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)