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文献
J-GLOBAL ID：201302287545347778
整理番号：13A1466138
粉末ターゲットを用いて無線周波スパッタリングから製作した酸化インジウムすず薄膜の特性に及ぼすスッパタリング電力とアニール温度の効果
Effect of sputtering power and annealing temperature on the properties of indium tin oxide thin films prepared from radio frequency sputtering using powder target
ZHU Guisheng
(Shaanxi Normal Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 710062, Xian, People’s Republic of China)
,
ZHU Guisheng
(Guilin Univ. of Electronic Technol., Guangxi Key Lab. of Information Materials, 541004, Guilin, People’s Republic ...)
,
YANG Zupei
(Shaanxi Normal Univ., School of Materials Sci. and Engineering, 710062, Xian, People’s Republic of China)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24 号： 10 ページ： 3646-3651 発行年： 2013年10月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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