文献
J-GLOBAL ID:201302287659511292
整理番号:13A0937352
ペンタセン薄膜トランジスタにおける閾値電圧の温度依存性の理解
Understanding temperature dependence of threshold voltage in pentacene thin film transistors
著者 (3件):
SUN Qi-jun
(Jiangsu Key Lab. for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Inst. of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM) ...)
,
GAO Xu
(Jiangsu Key Lab. for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Inst. of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM) ...)
,
WANG Sui-dong
(Jiangsu Key Lab. for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Inst. of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM) ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
113
号:
19
ページ:
194506-194506-4
発行年:
2013年05月21日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)