文献
J-GLOBAL ID:201302287917877647
整理番号:13A0308430
スピン-オン水素シルセスキオキサン前駆体を用いて酸化ケイ素系抵抗メモリーデバイスを開発
Development of a silicon oxide-based resistive memory device using a spin-on hydrogen silsesquioxane precursor
著者 (4件):
RICE Zachary P.
(State Univ. New York, New York)
,
BRIGGS Benjamin D.
(State Univ. New York, New York)
,
BISHOP Seann M.
(State Univ. New York, New York)
,
CADY Nathaniel C.
(State Univ. New York, New York)
資料名:
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻:
27
号:
24
ページ:
3110-3116
発行年:
2012年12月28日
JST資料番号:
D0987B
ISSN:
0884-2914
CODEN:
JMREEE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)