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文献
J-GLOBAL ID：201302287940626120
整理番号：13A0028623
SiO2薄膜における3種の抵抗値状態のスイッチング動作
Tristate Operation in Resistive Switching of SiO2 Thin Films
CHEN Yen-Ting
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
FOWLER Burt
(PrivaTran, LLC, TX, USA)
,
WANG Yanzhen
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
XUE Fei
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
ZHOU Fei
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CHANG Yao-Feng
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CHEN Pai-Yu
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
LEE Jack C.
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 12 ページ： 1702-1704 発行年： 2012年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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