文献
J-GLOBAL ID:201302288077074757
整理番号:13A0827880
低周波雑音解析によるZnO薄膜トランジスタのゲートバイアス応力不安定性の研究
Investigation of the Gate Bias Stress Instability in ZnO Thin Film Transistors by Low-Frequency Noise Analysis
著者 (8件):
JEONG Kwang-Seok
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
YUN Ho-Jin
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
KIM Yu-Mi
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
YANG Seung-Dong
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
LEE Sang-Youl
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
KIM Young-Su
(National Nanofab Center, Daejeon, KOR)
,
LEE Hi-Deok
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
,
LEE Ga-Won
(Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
4,Issue 2
ページ:
04CF04.1-04CF04.5
発行年:
2013年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)